半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-064726
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264314
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 III-V族窒化物半導体からなるデバイス構造の結晶性を損なうことなく、該デバイス構造を支持する厚膜半導体層の膜厚を十分に大きくできるようにする。【解決手段】半導体装置におけるデバイス構造体20は、それぞれがIII-V族窒化物半導体からなり、第1半導体層11、発光層12及び第2半導体層13を有している。第2半導体層13における発光層12の反対側の面上には、厚さが約100μmと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体20を構成する各半導体層11、12、13よりも大きい、n型窒化ガリウムからなる第3半導体層14が接合されて形成されている。

請求項（抜粋）：

活性領域を含む第1導電型の第1半導体層及び第2導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層側に形成され、結晶欠陥密度が前記第1半導体層及び第2半導体層よりも大きい第3半導体層とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01S 5/02 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/02 , H01S 5/323 610

Fターム (8件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA14 , 5F041CA40 , 5F041CA77 , 5F073CA02 , 5F073DA32 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (12件)

窒化物半導体と、窒化物半導体発光装置と、窒化物半導体の製造方法と、半導体発光装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-005590 出願人：ソニー株式会社
窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-376422 出願人：ソニー株式会社
2つの材料層を相互に分離する方法及びこの方法により製造された電子部品
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-516150 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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