特許
J-GLOBAL ID：200903098466003544
反射防止膜形成用塗布液組成物およびこれを用いたホトレジスト積層体、並びにホトレジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-150172
公開番号（公開出願番号）：特開2003-345026
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月03日
要約：
【要約】【課題】 ArFエキシマレーザー対応のホトレジストを用いた極微細ホトレジストパターンの形成において、パターン頭部の形状の改善効果に優れる上層反射防止膜を形成するための塗布液組成物を提供する。【解決手段】 ArFエキシマレーザー対応のポジ型ホトレジスト層上に積層される反射防止膜を形成するための塗布液組成物であって、(a)水溶性膜形成成分、(b)C4以上のパーフルオロアルキルカルボン酸、C5以上のパーフルオロアルキルスルホン酸の中の少なくとも1種のフッ素系化合物、(c)(c-1)C1-4のフルオロアルキルスルホン酸、および/または(c-2)1つ以上の水素原子がフルオロアルキルスルホニル基置換されたC1-4の炭化水素(炭化水素基中の1つ以上の炭素原子が窒素原子で置換されてもよい)からなる酸性化合物を含有する反射防止膜形成用塗布液組成物、これを用いたホトレジスト積層体、ホトレジストパターン形成方法。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの多環式炭化水素基を側鎖に有し、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する(メタ)アクリレート単位を構成単位として含むポリマーを含有するホトレジスト層上に積層される反射防止膜を形成するための塗布液組成物であって、(a)水溶性膜形成成分と、(b)炭素原子数4以上のパーフルオロアルキルカルボン酸、および炭素原子数5以上のパーフルオロアルキルスルホン酸の中から選ばれる少なくとも1種のフッ素系化合物と、(c)(c-1)炭素原子数1〜4のフルオロアルキルスルホン酸、および/または、(c-2)1つ以上の水素原子がフルオロアルキルスルホニル基で置換された炭素原子数1〜4の炭化水素(ただし、炭化水素基中の1つ以上の炭素原子が窒素原子で置換されていてもよい)からなる酸性化合物を含有する、反射防止膜形成用塗布液組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/11 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
G03F 7/11 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 574
2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025DA01
, 2H025DA03
, 2H025DA34
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 5F046PA07
