特許
J-GLOBAL ID：200903069896214921

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

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木村 法史

木村 法史 について

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藤田 武彦

藤田 武彦 について

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古澤 純和

古澤 純和 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-173035
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073997
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】エッチング処理を組み合わせることにより、半球状の結晶粒のサイズを小さく制御することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、成膜ガスにより前記被処理体の表面に結晶核92を形成して該結晶核92を成長させることにより半球状の結晶粒6が表面に形成された結晶粒薄膜94を形成する結晶粒薄膜形成工程と、前記結晶粒薄膜94の表面を酸化することにより酸化膜96を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜96をエッチングにより除去するエッチング工程と、を有する。このように、エッチング処理を組み合わせることにより、HSGシリコン結晶粒における半球状の結晶粒6のサイズを小さく制御する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、 成膜ガスにより前記被処理体の表面に結晶核を形成して該結晶核を成長させることにより半球状の結晶粒が表面に形成された結晶粒薄膜を形成する結晶粒薄膜形成工程と、 前記結晶粒薄膜の表面を酸化することにより酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、 前記酸化膜をエッチングにより除去するエッチング工程と、 を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
H01L27/10 621C ,  C23C16/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/306 Z
Fターム (48件)：
4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F004AA09 ,  5F004BA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DB03 ,  5F004EA27 ,  5F004EA34 ,  5F004EA37 ,  5F004EB02 ,  5F043AA32 ,  5F043BB22 ,  5F043FF10 ,  5F043GG04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF10 ,  5F045BB16 ,  5F045CB10 ,  5F045DA51 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ04 ,  5F045HA12 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083JA22 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154896   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027481   出願人：日本電気株式会社
  • 熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-356595   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (9件)
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