特許
J-GLOBAL ID：200903070890303602

微細パターン形成方法

発明者：
岡部 一朗

岡部 一朗 について

, 
荒井 宏貴

荒井 宏貴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について

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日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230903
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051424
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 高温条件下においても安定で、かつ、膜内ストレスが小さい窒化シリコン系の反射防止膜を形成することを目的とする。さらに、反射防止膜上においてポジ型化学増幅レジストパターンを形成する際のレジスト-基板界面におけるパターンの裾引きを抑制する。【解決手段】 下地基板上に、直接またはその他の層を介して、窒化シリコン系の膜7を製膜する工程と、その膜7の上に、直接またはその他の層を介してフォトレジスト1を形成する工程を含む。窒化シリコン系の膜7は、プラズマCVD装置を用いて、かつ、基板6が配置される部分の温度を400°C以上700°C以下に設定して成膜する。更に、フォトレジスト1の直下に酸化シリコン系の膜14を堆積させる工程を含む。膜14は、プラズマCVD装置を用いて、かつ、基板6が配置される部分の温度を400°C以上700°C以下に設定して成膜する。
請求項（抜粋）：
下地基板上にフォトレジストを塗布し単一波長により露光して微細なレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして下地基板をエッチングすることにより微細パターンを形成する方法であって、下地基板上に、直接またはその他の層を介して、窒化シリコン系の膜を堆積させる工程と、前記の膜の上に、直接またはその他の層を介してフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する工程と、転写されたレジストパターンをマスクとして窒化シリコン系の膜をエッチングする工程とを有する微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
G03F 7/11 503 ,  H01L 21/302 J
Fターム (24件)：
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA22 ,  5F004EB01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (14件)
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