特許
J-GLOBAL ID:200903072247175403
III族窒化物一体化ショットキおよび電力素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-025639
公開番号(公開出願番号):特開2006-310769
出願日: 2006年02月02日
公開日(公表日): 2006年11月09日
要約:
【課題】III族窒化物ヘテロ接合半導体素子を電源回路に使用したときの破壊を防止する電源回路を提供する。【解決手段】ブースト変換回路などの電源回路で用いられるIII族窒化物ヘテロ接合半導体素子は、オーミック接合ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極間のゲート電極および、前記ソース・ドレイン電極の近傍に電源スイッチと一体化されたショットキ接合電極を備える。前記ショットキ接合にはフィールドプレート電極が設けられる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
モノリシック一体化III族窒化物電力素子であって、
第1のIII族窒化物層と、前記第1のIII族窒化物層と異なるバンドギャップを有すると共に前記第1のIII族窒化物層の上に配置された第2のIII族窒化物層とを備えるヘテロ接合III族窒化物本体と、
前記第2のIII族窒化物層と電気的に接続された第1の電源電極と、
前記第2のIII族窒化物層と電気的に接続された第2の電源電極と、
前記第2の電源電極の上かつ前記第1の電源電極と前記第2の電源電極との間に配置されたゲート構造と、
前記第2のIII族窒化物層とショットキ接合するショットキ電極と、を備える、電力素子。
IPC (12件):
H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/78
, H01L 29/80
, H01L 21/28
, H01L 29/41
, H01L 29/872
, H01L 29/47
, H01L 29/06
, H01L 27/088
, H01L 21/823
FI (9件):
H01L29/80 H
, H01L29/78 301K
, H01L29/80 W
, H01L21/28 301B
, H01L29/44 Y
, H01L29/48 D
, H01L29/06 301F
, H01L29/78 301B
, H01L27/08 102A
Fターム (79件):
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB14
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB23
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104CC05
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 4M104GG12
, 4M104GG18
, 5F048AB10
, 5F048AC01
, 5F048AC10
, 5F048BA02
, 5F048BA14
, 5F048BB05
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BB12
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GC05
, 5F102GD01
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102GR12
, 5F102GS04
, 5F102GT01
, 5F102GT05
, 5F140AA33
, 5F140AB06
, 5F140AB07
, 5F140AB08
, 5F140AC22
, 5F140AC36
, 5F140BA06
, 5F140BA09
, 5F140BB18
, 5F140BD05
, 5F140BD07
, 5F140BD11
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF05
, 5F140BF06
, 5F140BF08
, 5F140BF11
, 5F140BF15
, 5F140BF16
, 5F140BF17
, 5F140BF53
, 5F140BH03
, 5F140BJ01
, 5F140BJ05
, 5F140BJ08
, 5F140BJ30
, 5F140CD09
, 5F140DA01
, 5F140DA08
引用特許:
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