特許
J-GLOBAL ID：200903074569904713

パターン形成方法

発明者：
笹子 勝

笹子 勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254076
公開番号（公開出願番号）：特開2000-089464
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅型レジストからなるレジスト膜に対して真空紫外線又は極紫外線をパターン露光してレジストパターンを形成するパターン形成方法において、良好な断面形状を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】 半導体基板1上に、骨格が1つ又は2つである脂環式基、例えばテトラヒドロピラニル基を有するアクリルポリマーを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜11を形成した後、該レジスト膜11に真空紫外線3をパターン露光する。パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン11Aを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、骨格が1つ又は2つである脂環式基を有するアクリルポリマーを含む化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に真空紫外線又は極紫外線からなる露光光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 531 Z
Fターム (13件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025CB13 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  2H097CA13 ,  2H097FA03 ,  5F046AA07 ,  5F046CA08 ,  5F046LA00
引用特許：
審査官引用 (12件)
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