特許
J-GLOBAL ID：200903077450865328

急速温度勾配コントロールによる基板処理

発明者：
アレクサンダー マティウシュキン

アレクサンダー マティウシュキン について

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ダン カッツ

ダン カッツ について

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ジョン ホーランド

ジョン ホーランド について

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セオドロス パナゴポウロス

セオドロス パナゴポウロス について

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マイケル ディー. ウィルワース

マイケル ディー. ウィルワース について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314608
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028354
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】基板全体の急速温度勾配コントロールによる基板の処理が可能な処理装置を提供する。【解決手段】基板処理チャンバ106は、基板受け取り表面および対向する裏側表面を有するセラミックパック24を備える静電チャック20を備えている。セラミックパック24は7mm未満の厚さを備える。電極36はセラミックパック24に埋め込まれており、静電力を生成して基板25を保持し、セラミックパック24のヒーターコイル50によってセラミックパック24の異なる加熱ゾーンの温度の独立コントロールが可能になる。冷却器は、セラミックパック24の下のベース91の冷却チャネル110に冷却剤を提供する。コントローラ300は、ヒーターコイル50に印加された電力レベルを上昇または低下させる前に冷却器の冷却温度を設定する温度コントロール命令セットを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバにおいて基板を保持および加熱することができる基板支持アセンブリであって、 (a)基板受け取り表面および対向する裏側表面を備えるセラミックパック(puck)であって、(i)静電力を生成して、前記基板受け取り表面に置かれた基板を保有するための、前記セラミックパックに埋め込まれた電極と、(ii)前記基板を加熱するための、前記セラミックパックに埋め込まれたヒーターとを備えるセラミックパックと、 (b)冷却剤を循環させる冷却チャネルを備える冷却ベースであって、前記チャネルが入口および末端を備える冷却ベースと、 (c)前記セラミックパックを前記冷却ベースに接着する柔らかい層であって、(i)埋め込みアルミニウム繊維を有するシリコンまたは(ii)埋め込みワイヤメッシュを有するアクリルのうちの少なくとも1つを備える柔らかい層とを備えるアセンブリ。
IPC (4件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/02
FI (4件)：
H01L21/68 R ,  H01L21/302 101C ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 Z
Fターム (32件)：
5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031HA16 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031JA02 ,  5F031JA08 ,  5F031JA17 ,  5F031JA46 ,  5F031LA18 ,  5F031MA32 ,  5F031PA07 ,  5F031PA09 ,  5F031PA11 ,  5F031PA30 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EM01 ,  5F045EM09
引用特許：
審査官引用 (11件)
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