特許
J-GLOBAL ID：200903078570160960

発光ダイオードチップ及びウェハ分割加工方法

発明者：
笹木 隆一郎

笹木 隆一郎 について


出願人/特許権者：
アイシン精機株式会社

アイシン精機株式会社 について

, 
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-152023
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324326
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】実装方向に影響されない、作製コストが安価な発光ダイオードチップ及びウェハからチップへの分割加工方法を提供すること。【解決手段】二つの背向する面を持つ透明基板1の一方の面に発光層を含む半導体膜2が積層され、該二つの背向する面に直交するチップ分割面12に凹凸が形成されていることを特徴とする発光ダイオードチップ。基板内部に分割ラインに沿う光誘起破壊域を形成する分割加工方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
二つの背向する面を持つ透明基板の一方の面に発光層を含む半導体膜が積層され、該二つの背向する面に直交するチップ分割面に凹凸が形成されていることを特徴とする発光ダイオードチップ。
IPC (7件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/00 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/04 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40
FI (7件)：
H01L33/00 A ,  H01S3/00 B ,  H01L21/78 B ,  B23K26/00 D ,  B23K26/04 C ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40
Fターム (10件)：
4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA04 ,  4E068CA11 ,  4E068CD01 ,  4E068CD14 ,  4E068DA10 ,  5F041AA03 ,  5F041CA76 ,  5F172ZZ01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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