特許
J-GLOBAL ID：200903097254263191

半導体発光素子

発明者：
ジョン、レニー

ジョン、レニー について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260547
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091708
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 活性層からの電子のオーバーフローに対するバリア効果を維持しつつ、活性層に対する正孔の流入に対するバリアを低減することができる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層に注入された電子のオーバーフローを抑制するバリアとして作用し、さらに、活性層に注入される前の正孔に対するバリア作用が緩和されたオーバーフロー防止層を設ける。具体的には、層厚や組成が徐々に変化する超格子や組成が連続的または階段状に変化する構造とすることにより、正孔の流入を促進して、キャリアのロスを解消し、発光効率の高い半導体発光素子を実現できる。
請求項（抜粋）：
活性層を備え、前記活性層に電子と正孔とを注入して発光を生じさせる半導体発光素子であって、前記活性層に注入された前記電子と前記正孔のいずれか一方のオーバーフローを抑制するバリアとして作用するオーバーフロー防止層をさらに備え、前記オーバーフロー防止層は、さらに、前記活性層に注入される前の前記電子と前記正孔のいずれか他方に対するバリア作用が緩和されてなることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (15件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (23件)
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