特許
J-GLOBAL ID:200903082580912062
有機物質の除去方法および除去装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
岩見谷 周志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-160222
公開番号(公開出願番号):特開2005-340668
出願日: 2004年05月28日
公開日(公表日): 2005年12月08日
要約:
【課題】 製造工程中に損傷を受けてフォトレジスト等の表面が強度に変質硬化した有機物質であっても、大きな剥離速度で除去でき、環境面での問題もない、有機物質の除去方法および装置を提供する。【解決手段】 表面に有機物質が付着した基体から該有機物質を除去する方法であって、(1)前記有機物質にレーザー光を照射する工程と、(2)上記工程(1)と並行して、または工程(1)の次に、基体上に存在する有機物質を、該基体に処理液を接触させて除去する工程と、を有する前記有機物質の除去方法、並びに、有機物質が付着した基体表面の有機物質の除去装置であって、(a)前記基体を支持する手段と、(b)前記基体を処理液と接触させる手段と、(c)前記有機物質にレーザー光を照射する手段と、を有する前記有機物質の除去装置。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面に有機物質が付着した基体から該有機物質を除去する方法であって、
(1)前記有機物質にレーザー光を照射する工程と、
(2)上記工程(1)と並行して、または工程(1)の次に、基体上に残存する有機物質を、該基体に処理液を接触させて除去する工程と、
を有する前記有機物質の除去方法。
IPC (3件):
H01L21/304
, G03F7/42
, H01L21/027
FI (8件):
H01L21/304 645D
, H01L21/304 642E
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 644A
, H01L21/304 647A
, H01L21/304 647B
, G03F7/42
, H01L21/30 572B
Fターム (10件):
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096AA28
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096LA01
, 2H096LA30
, 5F046MA02
, 5F046MA04
, 5F046MA07
引用特許:
出願人引用 (5件)
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特開平2-90172号公報
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レジストの剥離方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-030869
出願人:株式会社日立製作所
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-071310
出願人:富士通株式会社
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審査官引用 (7件)
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薄膜除去装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-260308
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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偏光した輻射及び裏側への照射による材料の除去
公報種別:公表公報
出願番号:特願平9-501674
出願人:カールドロンリミテッドパートナーシップ
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基板洗浄装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-218989
出願人:株式会社ニコン
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