特許
J-GLOBAL ID：200903084907278659

半導体電子デバイス

発明者：
池田 成明

池田 成明 について

, 
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-320785
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135575
出願日： 2006年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】アバランシェ耐量を増大させ、耐圧と信頼性とを向上させること。【解決手段】基板1上にバッファ層2を介して積層された半導体動作層3を備える半導体電子デバイスとしての電界効果トランジスタ100において、半導体動作層3は、この半導体動作層3内に形成されるチャネルとしての2次元電子ガス層7とバッファ層2との間に形成されて2次元正孔(ホール)ガス層6aを生成するp型半導体層6を有するとともに、2次元ホールガス層6aを半導体動作層3の外部に導通させる導通電極10を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を介して積層された化合物半導体層を備える半導体電子デバイスにおいて、 前記化合物半導体層は、該化合物半導体層内に形成されるチャネルと前記バッファ層との間に形成されて2次元正孔ガス層を生成するp型半導体層もしくはi型半導体層を有することを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 658E
Fターム (15件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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