特許
J-GLOBAL ID：200903085074636013

半導体発光装置とその製造方法

発明者：
竹川 浩

竹川 浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-153833
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324417
出願日： 2006年06月01日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】一定の厚みをもった樹脂からなる蛍光体層で半導体発光素子の周囲が被覆された良質な半導体発光装置と、該半導体発光装置を簡易な工程で製造することができる方法を提供することである。【解決手段】基板あるいはサブマウントに少なくとも1つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドした後、前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第1樹脂を注型し、第1樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第1樹脂の厚みD1と、半導体発光素子の側面の第1樹脂の厚みD2との比D2/D1が0.85〜1.15となるよう、第1樹脂および基板を貫通するダイシング加工して、もしくは、第1樹脂を少なくとも一部分をダイシング加工して製造された半導体発光装置およびその製造方法に関する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板あるいはサブマウントに少なくとも1つの半導体発光素子を所定間隔でダイボンドする工程と、 前記基板あるいは前記サブマウント全面に対して、半導体発光素子の上面と略平行にかつ半導体発光素子を被覆するように第1樹脂を注型する工程と、 前記第1樹脂が硬化した後、半導体発光素子の上面の第1樹脂の厚みD1と、半導体発光素子の側面の第1樹脂の厚みD2との比D2/D1が0.85〜1.15となるよう、第1樹脂および基板を貫通するダイシング加工する工程とで製造されることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (17件)：
5F041AA11 ,  5F041AA14 ,  5F041AA42 ,  5F041AA47 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA78 ,  5F041DB03 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (14件)
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