特許
J-GLOBAL ID：200903085248014939

多結晶性半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法、並びにこれらの方法の実施に使用する装置

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072089
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270526
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高結晶化率で高品質の多結晶性シリコン等の多結晶性半導体薄膜を容易かつ低コストに、しかも大面積に形成する。【解決手段】 基体1上に触媒CVD法等によりアモルファス又は微結晶カーボン薄膜100Aを形成する。水素又は水素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ生成した水素系活性種を、このカーボン薄膜100Aにグロー放電開始電圧以下の電界又は/及び磁界の作用下で作用させて、ダイヤモンド構造のカーボン超微粒子層100Bを形成する。これをシードとして触媒CVD法等により多結晶性半導体薄膜7を成長させる。
請求項（抜粋）：
基体上に多結晶性半導体薄膜を形成するに際し、前記基体上にアモルファスカーボン又は微結晶カーボン又はこれらの混合物からなるカーボン薄膜を形成する工程と、水素又は水素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した水素系活性種をグロー放電開始電圧以下の電界又は/及び磁界の作用下で前記カーボン薄膜に作用させてアニールを行い、ダイヤモンド構造のカーボン超微粒子を形成する工程と、このカーボン超微粒子上に半導体材料薄膜を気相成長させる工程とを経て前記多結晶性半導体薄膜を得る、多結晶性半導体薄膜の形成方法。
IPC (10件)：
H01L 21/205 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/33 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (11件)：
H01L 21/205 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/33 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (146件)：
2H092HA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA29 ,  2H092NA01 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA26 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094FB14 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AA11 ,  5F045AA16 ,  5F045AA19 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE09 ,  5F045AF07 ,  5F045AF14 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA15 ,  5F045DP05 ,  5F045EB08 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EF05 ,  5F045EF18 ,  5F045EH09 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19 ,  5F045EK07 ,  5F045HA16 ,  5F045HA23 ,  5F052AA11 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052FA01 ,  5F052FA19 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052JA06 ,  5F052JA07 ,  5F052JA09 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG46 ,  5F110GG47 ,  5F110GG48 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ24 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435KK10
引用特許：
審査官引用 (12件)
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