特許
J-GLOBAL ID：200903085776897281

ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者：
星野 渉

星野 渉 について

, 
樽谷 晋司

樽谷 晋司 について

, 
吉留 正洋

吉留 正洋 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-082225
公開番号（公開出願番号）：特開2009-237170
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】遠紫外線光、特に波長が193nmのArFエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、パターン形状、デフォーカスラチチュードに優れたネガ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定のスルホンアミド基を有する繰り返し単位を有するアルカリ可溶性樹脂、(B)酸の作用によりアルカリ可溶性樹脂を架橋する化合物及び(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(SA1)又は(SA2)で表されるスルホンアミド基を有する繰り返し単位を有するアルカリ可溶性樹脂、(B)酸の作用によりアルカリ可溶性樹脂を架橋する化合物及び(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/038 ,  C08F 220/38 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/038 601 ,  C08F220/38 ,  H01L21/30 502R
Fターム (38件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025CB14 ,  2H025CB15 ,  2H025CB42 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA59P ,  4J100BB01P ,  4J100BB18P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12R ,  4J100BC49P ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
  • ネガ型画像記録材料
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-073553   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • 特許第6420503号
  • Siポリマー含有フォトレジスト
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-361269   出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

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