特許
J-GLOBAL ID：200903089129549773

結晶性半導体膜の作製方法、該結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法、該結晶性半導体膜を有する半導体装置の作製方法

発明者：
荒井 康行

荒井 康行 について

, 
舘村 祐子

舘村 祐子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305523
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079209
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 本発明は、結晶粒や結晶粒界の位置制御を行う結晶性半導体膜の新たな作製方法を提供することを課題とする。特に結晶粒の配向性が制御された結晶性半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 絶縁膜に形成される開口部の形成位置を制御し、開口部の底面に非晶質半導体膜の金属元素を形成し、開口部及び絶縁膜を覆うように非晶質半導体膜を形成し、金属元素により非晶質半導体膜の結晶化が早くなる、つまり低温で結晶化が開始する領域を種結晶領域として結晶性半導体膜を制御して形成することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
選択的に結晶化を促進する金属元素を形成し、 前記結晶化を促進する金属元素を覆って、非晶質半導体膜を形成し、 前記非晶質半導体膜を加熱することにより、結晶性半導体膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
IPC (4件)：
H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (4件)：
H01L21/20 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 627Z
Fターム (78件)：
3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052FA01 ,  5F052GA02 ,  5F052GB03 ,  5F052GB05 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE45 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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