特許
J-GLOBAL ID:200903090691470126
研磨用組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-352952
公開番号(公開出願番号):特開2005-116987
出願日: 2003年10月10日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】 ディッシングの発生を抑制することができるとともに、銅を含有する金属材料に対する研磨速度を高く維持することができる研磨用組成物を提供する。【解決手段】 研磨用組成物には、下記(a)〜(f)の各成分が含有される。 (a):酸化ケイ素 (b):カルボン酸及びα-アミノ酸から選ばれる少なくとも一種 (c):防食剤 (d):界面活性剤 (e):過硫酸塩 (f):水 さらに、研磨用組成物はアンモニウムイオンを含有するとともに、pHが7以上12未満に設定されている。この研磨用組成物は、半導体基板の研磨に用いられる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
半導体基板の研磨に用いられ、下記(a)〜(f)の各成分を含有するとともにアンモニウムイオンを含有し、pHが7以上12未満である研磨用組成物。
(a):酸化ケイ素
(b):カルボン酸及びα-アミノ酸から選ばれる少なくとも一種
(c):防食剤
(d):界面活性剤
(e):過硫酸塩
(f):水
IPC (3件):
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
FI (4件):
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
Fターム (6件):
3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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