特許
J-GLOBAL ID：200903091470544458

カーボンナノチューブの形成方法及び形成装置

発明者：
宇都宮 里佐

宇都宮 里佐 について

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松本 均

松本 均 について

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原田 隆生

原田 隆生 について

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中野 雅文

中野 雅文 について


出願人/特許権者：
日新電機株式会社

日新電機株式会社 について


代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-343131
公開番号（公開出願番号）：特開2006-182640
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】触媒層を形成した基板の該触媒層上に熱CVD法によりCNT(カーボンナノチューブ)を形成するCNTの形成方法及び形成装置であって、CNTを所望の形態に、そして、個々の基板面内でのCNTの形態のバラツキを抑制して、また、基板間でのCNTの形態のバラツキを抑制して、再現性良好に形成できるCNTの形成方法及び形成装置を提供する。【解決手段】反応容器1内に触媒層Cを形成した基板Sを設置し、容器1内雰囲気を置換ガス雰囲気とし、容器1内ガス圧をCNT形成ガス圧より低く設定するとともに、基板触媒層CをCNT形成温度に加熱する。一方、ガス充填部5にCNT形成原料ガスを含むガスを充填封入する。その後ガス充填部5に充填封入されたガスをそのガス圧と容器1内ガス圧との差に基づいて容器1内に一挙に導入し、該ガスのもとで加熱された触媒層C上に熱CVD法によりCNTを生成させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
触媒層を形成した基板の該触媒層上に、炭素含有のカーボンナノチューブ形成原料ガスを用いて、熱CVD法によりカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの形成方法であって、 反応容器内に、予め触媒層を形成した基板を設置する基板設置工程と、 該基板設置後、該反応容器内雰囲気を置換ガスの雰囲気とし、該反応容器内ガス圧をカーボンナノチューブ形成ガス圧より低く設定するとともに、前記基板上の触媒層をカーボンナノチューブ形成温度に加熱する反応容器内条件設定工程と、 ガス充填部に炭素含有のカーボンナノチューブ形成原料ガスを含むガスを充填封入するガス充填封入工程と、 前記ガス充填部内に充填されたガスを、該ガス圧と前記反応容器内条件設定工程において設定された前記反応容器内ガス圧との差に基づいて、前記反応容器内に導入するガス導入工程と、 該ガス導入工程により前記反応容器内に導入されたガスのもとで、加熱された前記触媒層上に熱CVD法によりカーボンナノューブを生成させる工程とを含み、 前記ガス充填部への炭素含有カーボンナノチューブ形成原料ガスを含むガスの充填封入は、前記ガス導入工程において、該ガス充填部から前記反応容器へ、求める形態のカーボンナノチューブ形成を可能にするガス圧及びガス流量で該炭素含有カーボンナノチューブ形成原料ガスを含むガスが導入されるように行うことを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法。
IPC (1件)：
C01B 31/02
FI (1件)：
C01B31/02 101F
Fターム (16件)：
4G146AA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB21 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC02 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC29 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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