特許
J-GLOBAL ID:200903092214894340
金属膜研磨組成物および金属膜の研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西教 圭一郎
, 杉山 毅至
, 廣瀬 峰太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-422735
公開番号(公開出願番号):特開2005-183684
出願日: 2003年12月19日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】 システムインパッケージによる半導体素子の実装工程において、基板表面にダマシン法を利用して銅配線を形成するに際し、基板表面に形成された溝および孔に埋め込まれ、配線になる銅を削り取ることなく、すなわちディッシング、シニングなどを起こすことなく、余分な部分の銅膜を短時間で研磨除去し、かつ高い平坦性を有する研磨面を得る。【解決手段】 ダマシン法におけるCPM工程において研磨定盤1に貼着された研磨パッド2に、基板3の被研磨面3aが研磨パッド2に接するように基板3を載置し、その上から加圧ヘッド4を押し付け、研磨定盤1と加圧ヘッド4との回転により基板3の被研磨面3aを研磨する際に、研磨パッド2に供給される研磨スラリーの研磨剤として、非真球状コロイダルシリカおよび/または非真球状コロイダルシリカとクリスタルシリカ粒子との複合粒子を用いる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
非真球状コロイダルシリカおよび/または非真球状コロイダルシリカとクリスタルシリカ粒子との複合粒子を含有し、残部が水であることを特徴とする金属膜研磨組成物。
IPC (3件):
H01L21/304
, B24B37/00
, C09K3/14
FI (6件):
H01L21/304 622B
, H01L21/304 622D
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
Fターム (5件):
3C058AA07
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C058DA02
, 3C058DA12
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (8件)
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