半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：國分孝悦 , 伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-179820
公開番号（公開出願番号）：特開2005-354087
出願日： 2005年06月20日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】システム・オン・ガラス等への適用に際して、TFTのトランジスタ特性を高レベルで均質化し、特に周辺回路領域において移動度に優れ高速駆動が可能なTFTを実現する。【解決手段】ガラス基板1上でa-Si膜2を線状(リボン状)(図1(a))、又は島状(アイランド状)(図1(b))にパターニングし、a-Si膜2の表面又はガラス基板1の裏面に対し、CWレーザ3から時間に対して連続的に出力するエネルギービームを矢印の方向へ照射走査して、a-Si膜2を結晶化する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、各々複数の薄膜トランジスタを有する画素領域及びその周辺回路領域が設けられてなる半導体装置の製造方法であって、前記画素領域及び前記周辺回路領域のうち、少なくとも前記周辺回路領域に形成された半導体薄膜を時間に対して連続的にエネルギーを出力するエネルギービームにより結晶化するに際し、前記半導体薄膜には複数のスリットが形成され、前記スリットのほぼ長手方向に沿ってエネルギービームを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/20 , G02F1/1345 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/20 , G02F1/1345 , H01L21/268 J , H01L29/78 627G , H01L29/78 612B

Fターム (115件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA29 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP11 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F152AA03 , 5F152AA06 , 5F152AA08 , 5F152AA10 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC01 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC06 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD23 , 5F152CD27 , 5F152CE04 , 5F152CE05 , 5F152CE09 , 5F152CE13 , 5F152CE14 , 5F152CE22 , 5F152CE23 , 5F152CE24 , 5F152CE25 , 5F152CE28 , 5F152CE43 , 5F152CE44 , 5F152CE45 , 5F152CF13 , 5F152CF14 , 5F152CF17 , 5F152CF23 , 5F152CF24 , 5F152EE01 , 5F152EE02 , 5F152EE03 , 5F152EE05 , 5F152EE16 , 5F152FF03 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF28 , 5F152FF32 , 5F152FF33 , 5F152FF41 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG13 , 5F152FG18 , 5F152FG22 , 5F152FG23 , 5F152FH02 , 5F152FH03 , 5F152FH11 , 5F152FH15 , 5F152FH18

引用特許：

審査官引用 (17件)

特公平5-009794
半導体膜の結晶化方法、アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-004360 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体作製方法および薄膜トランジスタ作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-278284 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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