成膜装置及び成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284336
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】膜中の組成比の再現性を向上させることができる成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Wを載置する載置台20を収容して真空引き可能になされた処理容器4と、成膜に用いられる複数の原料を貯留する原料タンク2A,2B,2Cと、前記原料タンク内の原料をガス状態で前記処理容器へ向けて流す原料供給路8,10,12と、前記原料の流量を制御する流量制御器14A,14B,14Cとを有する成膜装置において、前記原料供給路に介設されて前記ガス状態の原料に検査光を照射して吸収波長及び吸収量を測定する光吸収測定手段40と、この光吸収測定手段の測定結果に基づいて前記流量制御器を制御する流量制御器コントロール手段42とを備える。これにより、膜中の組成比の再現性を向上させる。

請求項（抜粋）：

被処理体を載置する載置台を収容して真空引き可能になされた処理容器と、成膜に用いられる複数の原料を貯留する原料タンクと、前記原料タンク内の原料をガス状態で前記処理容器へ向けて流す原料供給路と、前記原料の流量を制御する流量制御器とを有する成膜装置において、前記原料供給路に介設されて前記ガス状態の原料に検査光を照射して吸収波長及び吸収量を測定する光吸収測定手段と、この光吸収測定手段の測定結果に基づいて前記流量制御器を制御する流量制御器コントロール手段とを備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/448 , C23C 16/52 , H01L 21/316 , H01L 27/10 451

FI (5件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/448 , C23C 16/52 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 451

Fターム (36件)：

4K030AA11 , 4K030EA01 , 4K030HA15 , 4K030JA05 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 5F045AA04 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045BB04 , 5F045BB08 , 5F045EC08 , 5F045EE02 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EE12 , 5F045EF05 , 5F045EK07 , 5F045EK11 , 5F045GB07 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG02 , 5F058BG10 , 5F083FR01 , 5F083GA30 , 5F083JA15 , 5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (11件)

薄膜製造装置及び薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-353499 出願人：株式会社東芝
赤外線ガス分析計及びCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-354433 出願人：株式会社堀場製作所
薄膜の堆積装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-326972 出願人：三菱電機株式会社

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