特許
J-GLOBAL ID：200903095793177654

窒化物半導体発光素子とその製造方法

発明者：
塩路 修司

塩路 修司 について

, 
山田 元量

山田 元量 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345555
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179491
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】発光効率及び発光した光の取り出し効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】p型窒化物半導体からなるコンタクト層を備え、そのコンタクト層上に、光出射部を除いて部分的にp側オーミック電極を形成した窒化物半導体発光素子において、光出射部のp型窒化物半導体層は、Ni及びPtからなる群から選択された少なくとも1つからなる金属層を形成した後にその金属層を除去することにより改質処理されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型窒化物半導体からなるp型コンタクト層を備え、そのp型コンタクト層上に、光出射部を除いて部分的にp側オーミック電極を形成した窒化物半導体発光素子において、 上記光出射部のp型コンタクト層は、Ni及びPtからなる群から選択された少なくとも1つからなる金属層を形成した後にその金属層を除去することにより改質処理されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
Fターム (24件)：
4M104AA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD24 ,  4M104DD79 ,  4M104FF03 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99
引用特許：
審査官引用 (12件)
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