特許
J-GLOBAL ID：200903095831160108
三重金属配線一つのトランジスター/一つのキャパシタ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224413
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044377
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタの下部電極とコンタクトプラグが良好なΩ接触を有する強誘電体記憶素子及びその製造方法を提供することである。【解決課題】 コンタクトプラグを通じてトランジスターと電気的に連結される強誘電キャパシタをパターニングした後、コンタクトプラグの上に形成される酸化防止膜がキャパシタを覆う拡散防止膜を熱処理した後パターニングするという特徴を有する。
請求項（抜粋）：
強誘電体素子形成方法において、半導体基板の上にコンタクトプラグを含む層間絶縁膜を形成する段階と、前記コンタクトプラグを含む前記層間絶縁膜の上に酸化防止膜を形成する段階と、前記酸化膜防止膜の上に前記コンタクトプラグを覆うようにキャパシタと前記キャパシタを包む拡散防止膜パターンを順次に形成する段階と、露出された前記酸化防止膜をエッチングする段階を含むことを特徴とし、前記キャパシタは前記酸化防止膜を通じて前記コンタクトプラグに電気的に連結される強誘電体素子形成方法。
引用特許：
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