半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120378
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312015
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】薄膜結晶Si太陽電池の高効率化に好適なBSF機能を有した下地層を低コストで形成することによって、高効率で低コストな薄膜多結晶Si太陽電池の製造が可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に、多結晶Si層と半導体層を積層して設けた半導体装置であって、前記基板と多結晶Si層との間に、Ti、Ni、W、Mo、Cu、Ag、またはAlのうちの少なくとも1種から成る金属膜、その窒化膜、あるいはそのシリサイド膜を設け、前記多結晶Si層の結晶方位の選択配向性がX線回折強度比で(111)面に対し(100)面を除く他の面が0.06以下または(100)面に対し(111)面を除く他の面が1.00以下であり、且つ、前記多結晶Si層中にSiとの共融温度が850°C以下の金属元素を含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、多結晶Si層と半導体層とを積層して設けた半導体装置において、前記基板と多結晶Si層との間に、Ti、Ni、W、Mo、Cu、Ag、またはAlのうちの少なくとも1種から成る金属膜、その窒化膜、或いはそのシリサイド膜を設け、前記多結晶Si層の結晶方位の選択配向性がX線回折強度比で(111)面に対し(100)面を除く他の面が0.06以下または(100)面に対し(111)面を除く他の面が1.00以下であり、且つ、前記多結晶Si層中にSiとの共融温度が850°C以下の金属元素を含有することを特徴とする半導体装置。

Fターム (9件)：

5F051AA03 , 5F051DA20 , 5F051FA13 , 5F051FA19 , 5F051FA22 , 5F051FA24 , 5F051FA25 , 5F051FA30 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (20件)

特開平1-110776
シリコン積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-329485 出願人：東燃株式会社
特開平4-133359

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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