特許
J-GLOBAL ID：200903099532767662

現像処理方法

発明者：
北野 淳一

北野 淳一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238488
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059918
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 現像プロセス等に起因するパーティクル状の析出系欠陥の発生およびCD変動ならびにLERの悪化を抑制し、かつ、パターン倒れを防止する現像処理方法を提供する。【解決手段】 レジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理されたウエハWに、所定の界面活性剤を含有する第1リンス液を供給してリンス処理を行い、次いでレジストパターンを硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給し、ウエハWの表面に所定の高エネルギー線を照射して、架橋剤と高エネルギー線の照射の相乗作用によってレジスト膜を硬化させる。その後、この薬液よりも比重が大きい不活性液体をウエハWに供給し、レジスト膜がこの不活性液体に浸されるように、所定時間放置して不活性液体を沈降させ、その後にスピン乾燥を行う。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
その表面に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第1のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、 前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を前記基板上に供給する工程と、 前記基板に前記薬液が液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射し、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、 を有することを特徴とする現像処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/40
FI (3件)：
H01L21/30 569F ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 569E
Fターム (7件)：
2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096HA30 ,  5F046LA03 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14 ,  5F046LA19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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