ゲート・スタック、ゲート・スペーサ及びコンタクト・ビアを用いる垂直型金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタ

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-271765
公開番号（公開出願番号）：特開2010-157704
出願日： 2009年11月30日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

【課題】向上した製造可能性を有する金属-絶縁体-金属キャパシタ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】垂直型金属-絶縁体-金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属-絶縁体-金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。ダミー金属酸化物電界効果トランジスタは、分離領域を含む半導体基板の上に配置された金属酸化物半導体電界効果トランジスタと同時に形成することができる。金属-絶縁体-金属キャパシタは、キャパシタ・プレートとしてゲートを用い、ゲート誘電体として均一な厚さのゲート・スペーサを用い、別のキャパシタ・プレートとしてコンタクト・ビアを用いる。容量の増大のために、均一な厚さのゲート・スペーサは、導体層を含むことができる。容量の増大のために、単一のコンタクト・ビアを用いる鏡像となる金属-絶縁体-金属キャパシタ構造体を用いることもできる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に配置された誘電体分離領域と、前記誘電体分離領域上に配置されたゲート誘電体と、前記ゲート誘電体上に配置されたゲートと、前記ゲートの側壁に横方向に接近して配置された均一な厚さのスペーサと、前記均一な厚さのスペーサの側壁と横方向に接近して配置されたコンタクト・ビアと、を備える半導体構造体。

IPC (7件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/866

FI (4件)：

H01L27/04 C , H01L27/06 102A , H01L29/58 G , H01L29/90 C

Fターム (62件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF04 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG19 , 5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC15 , 5F038EZ02 , 5F038EZ06 , 5F038EZ15 , 5F038EZ18 , 5F038EZ20 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC05 , 5F048BF04 , 5F048BF05 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG03 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-296547 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-026570 出願人：エルピーダメモリ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-061520 出願人：松下電器産業株式会社

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