半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-051048
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206014
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】強度を保持しつつ、導通時の抵抗を低減可能な電力用の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置10は、基板領域1と、基板領域1上に設けられ、炭化珪素を含む半導体材料からなり、複数の凹部が形成されたドリフト領域2と、側壁に配設されたアノード電極3と、凹部の側壁を挟んでアノード電極3と互いに対面するように側壁に配設され、かつ、アノード電極3と絶縁されたカソード電極4とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板上に設けられ、炭化珪素を含む半導体材料からなり、複数の凹部が形成されたドリフト領域と、前記凹部に配設された第1の電極と、前記第1の電極が配設された凹部とは異なる凹部に配設された第2の電極と、を有し、前記第1の電極と前記第2の電極とが絶縁されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861

FI (4件)：

H01L29/48 D , H01L29/91 F , H01L29/91 C , H01L29/91 K

Fターム (32件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB21 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD63 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104FF32 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (10件)

横型トレンチ構造を有するショットキー・バリア・ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-207630 出願人：日本インター株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-237346 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-023306 出願人：株式会社デンソー

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