特許
J-GLOBAL ID:201003038665250591
表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
植木 久一
, 菅河 忠志
, 二口 治
, 伊藤 浩彰
, 植村 純子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-284893
公開番号(公開出願番号):特開2010-114226
出願日: 2008年11月05日
公開日(公表日): 2010年05月20日
要約:
【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Al合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるAl合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。【解決手段】Geを0.2〜2.0原子%、および元素群X(Ag、In、Sn、Ni、Co、Cu)より選択される少なくとも1種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群(Ti、Ta、V、Nb、Mo、W、Cr、Zr、Hf)からなる元素群Qより選択される少なくとも1種の元素を0.02〜1原子%含み、かつ、粒径が100nmを超える析出物が10-6cm2あたり1個以下であるところに特徴を有するAl合金膜と、該Al合金膜を備えた表示装置。【選択図】なし
請求項(抜粋):
表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるAl合金膜であって、
該Al合金膜は、Geを0.2〜2.0原子%、および元素群X(Ag、In、Sn、Ni、Co、Cu)より選択される少なくとも1種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群(Ti、Ta、V、Nb、Mo、W、Cr、Zr、Hf)からなる元素群Qより選択される少なくとも1種の元素を0.02〜1原子%含み、かつ、
粒径が100nmを超える析出物が10-6cm2あたり1個以下であることを特徴とする表示装置用Al合金膜。
IPC (9件):
H01L 21/28
, H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 21/285
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/134
, G02F 1/136
, C23C 14/34
FI (9件):
H01L21/28 301R
, H01L21/88 N
, H01L21/285 S
, H01L29/78 612C
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 616K
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, C23C14/34 A
Fターム (146件):
2H092GA25
, 2H092HA04
, 2H092JA26
, 2H092JA44
, 2H092JA45
, 2H092JB24
, 2H092JB33
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA18
, 2H092KB04
, 2H092MA05
, 2H092MA35
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092PA08
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA23
, 4K029BB02
, 4K029CA06
, 4K029DA08
, 4K029EA03
, 4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB16
, 4M104BB36
, 4M104BB37
, 4M104BB38
, 4M104BB39
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD37
, 4M104DD40
, 4M104DD91
, 4M104FF08
, 4M104FF13
, 4M104FF17
, 4M104FF21
, 4M104FF22
, 4M104GG09
, 4M104HH03
, 4M104HH16
, 4M104HH20
, 5F033GG04
, 5F033HH09
, 5F033HH20
, 5F033HH35
, 5F033HH38
, 5F033JJ09
, 5F033JJ20
, 5F033JJ35
, 5F033JJ38
, 5F033KK04
, 5F033KK09
, 5F033KK20
, 5F033LL02
, 5F033LL08
, 5F033LL09
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033MM19
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033QQ07
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ27
, 5F033QQ37
, 5F033QQ58
, 5F033QQ65
, 5F033QQ73
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033TT02
, 5F033VV06
, 5F033VV07
, 5F033VV15
, 5F033WW00
, 5F033WW04
, 5F033XX00
, 5F033XX10
, 5F033XX16
, 5F033XX18
, 5F110AA03
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE12
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG33
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK18
, 5F110HK22
, 5F110HK25
, 5F110HK26
, 5F110HK33
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL10
, 5F110HL11
, 5F110HL23
, 5F110NN04
, 5F110NN14
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP35
, 5F110QQ12
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る