特許
J-GLOBAL ID：201003051629682902

組成物、反射防止膜基板、並びに、太陽電池システム

発明者：
山崎 正典

山崎 正典 について

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阿部 麻理

阿部 麻理 について

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武脇 隆彦

武脇 隆彦 について

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船山 勝矢

船山 勝矢 について

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大泉 淳一

大泉 淳一 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-234175
公開番号（公開出願番号）：特開2010-065174
出願日： 2008年09月12日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
【課題】屈折率が低く、湿度変化に対して安定なシリカ膜が形成可能な組成物および該組成物から作製される反射防止膜基板を提供する。【解決手段】ケイ素化合物を含有する組成物であって、該組成物を基板に塗布し、400°C以上、450°C以下で、1分以上、1時間以下焼成して得られた膜の屈折率が1.25以下とし、かつ該組成物を400°C以上、450°C以下で、1分以上、5時間以下焼成して得られた粉末の、25°Cでの相対水蒸気圧0.3<P/P0<0.9における水蒸気吸着量差Δが0.03g/g以下とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ケイ素化合物を含有する組成物であって、 該組成物を基板に塗布し、400°C以上、450°C以下で、1分以上、1時間以下焼成して得られた膜の屈折率が1.25以下であり、 かつ該組成物を室温下、相対湿度40%の条件下で3日間風乾し、その後400°C以上、450°C以下で、1分以上、5時間以下焼成して得られた粉末の、25°Cでの相対水蒸気圧0.3<P/P0<0.9における水蒸気吸着量差Δが0.03g/g以下である ことを特徴とする組成物。 (ここでPは、25°Cにおける水蒸気分圧であり、P0は、25°Cにおける飽和水蒸気圧である。)
IPC (5件)：
C09D 183/02 ,  G02B 1/11 ,  C01B 33/12 ,  H01L 31/04 ,  C09D 7/12
FI (5件)：
C09D183/02 ,  G02B1/10 A ,  C01B33/12 C ,  H01L31/04 F ,  C09D7/12
Fターム (46件)：
2K009AA02 ,  2K009CC22 ,  2K009CC42 ,  2K009DD02 ,  4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072BB09 ,  4G072GG01 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072KK01 ,  4G072LL11 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  4G072TT30 ,  4G072UU02 ,  4J038DF012 ,  4J038DL001 ,  4J038DL021 ,  4J038DL032 ,  4J038HA096 ,  4J038HA336 ,  4J038HA376 ,  4J038JA17 ,  4J038JA25 ,  4J038JA35 ,  4J038JA53 ,  4J038JA55 ,  4J038JB01 ,  4J038JB12 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038MA09 ,  4J038NA01 ,  4J038NA04 ,  4J038NA19 ,  4J038PA20 ,  4J038PA21 ,  4J038PB08 ,  4J038PB09 ,  4J038PC03 ,  4J038PC08 ,  5F051HA04 ,  5F151HA04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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