特許
J-GLOBAL ID：200903016158552042

パターン形成方法及びそれに用いるレジスト組成物

発明者：
樽谷 晋司

樽谷 晋司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-289040
公開番号（公開出願番号）：特開2007-101715
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】良好な寸法均一性を有するパターンを形成できるパターン形成方法及びそれに用いるレジスト組成物を提供する。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、界面活性剤、溶剤A群及び溶剤B群からそれぞれ少なくとも1種、もしくは溶剤A群及び溶剤C群からそれぞれ少なくとも1種を含有する混合溶剤を含有する組成物を、基板上に塗布し、500〜1500rpmの回転数にて膜厚を目的とする厚みに調整し、乾燥、露光、現像するパターン形成方法。 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状又は環状ケトン及びアルコキシアルキルプロピオネート C群:γ-ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(C)溶剤、(D)界面活性剤を含有し、(C)成分が、下記溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤B群から選択される少なくとも1種、もしくは溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤C群から選択される少なくとも1種とを含有する混合溶剤であるレジスト組成物を、基板上に塗布し、500rpm〜1500rpmの回転数にてレジスト膜厚を目的とする厚みに調整し、乾燥、露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。 A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート B群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状又は環状ケトン及びアルコキシアルキルプロピオネート C群:γ-ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート
IPC (3件)：
G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/039
FI (4件)：
G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 504
Fターム (20件)：
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025EA05 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (14件)
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