特許
J-GLOBAL ID：201003070989583063

半導体装置およびその製造方法

発明者：
本間 琢朗

本間 琢朗 について

, 
石井 泰之

石井 泰之 について

, 
舟山 幸太

舟山 幸太 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-230101
公開番号（公開出願番号）：特開2010-067645
出願日： 2008年09月08日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
【課題】スプリットゲート構造のMONOS型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、信頼度を低減することなく高集積化を実現する。【解決手段】メモリ用nMISのメモリゲート電極MGの高さを選択用nMISの選択ゲート電極CGの高さよりも20〜100nm高く形成することにより、メモリゲート電極MGの片側面(ソース領域Srm側の側面)に形成されるサイドウォールSW1の幅を、所望するメモリセルMC1のディスターブ特性を得るために必要とする大きさとする。また、周辺用第2nMIS(Q2)のゲート電極G2の高さを選択用nMISの選択ゲート電極CGの高さ以下とすることにより、ゲート電極G2の側面に形成されるサイドウォールSW3の幅を小さくして、シェアードコンタクトホールC2の内部がサイドウォールSW3により埋め込まれるのを防ぐ。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面のメモリ領域の第1領域に第1電界効果トランジスタを含み、第2領域に前記第1電界効果トランジスタに隣接する第2電界効果トランジスタを含む不揮発性メモリセルを有し、前記半導体基板の主面の周辺回路領域に第3電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、 前記第1領域に形成された第1絶縁膜と、前記第1領域に前記第1絶縁膜を介して形成された前記第1電界効果トランジスタの第1ゲート電極と、前記第2領域に形成された電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積層を含む第2絶縁膜と、前記第2領域に前記第2絶縁膜を介して形成された前記第2電界効果トランジスタの第2ゲート電極とを有し、 前記第1ゲート電極の前記半導体基板の主面からの高さが、前記第2ゲート電極の前記半導体基板の主面からの高さよりも低く、 前記第3電界効果トランジスタの第3ゲート電極の前記半導体基板の主面からの高さが、前記第1ゲート電極の前記半導体基板の主面からの高さと同じか、または前記第1ゲート電極の前記半導体基板の主面からの高さよりも低いことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/11
FI (4件)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 381
Fターム (63件)：
5F083BS03 ,  5F083BS05 ,  5F083BS15 ,  5F083BS17 ,  5F083BS27 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083EP35 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP68 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40 ,  5F083PR42 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR52 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA11 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA45 ,  5F101BA53 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD35 ,  5F101BF09 ,  5F101BH08 ,  5F101BH19 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (13件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM