特許
J-GLOBAL ID：201003077793164920

窒化ガリウム系発光装置の製造方法

発明者：
木村 真大

木村 真大 について

, 
納田 卓

納田 卓 について

, 
川野 俊輔

川野 俊輔 について


出願人/特許権者：
ナイトライド・セミコンダクター株式会社

ナイトライド・セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-275775
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103429
出願日： 2008年10月27日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】波長405nm以下の窒化ガリウム系発光装置の発光出力を増大させる。【解決手段】基板10上にバッファ層12,14を形成する工程と、バッファ層14上にn-コンタクト層16を形成する工程と、n-コンタクト層16上にn-クラッド層18を形成する工程と、n-クラッド層18上にn-ブロック層20を形成する工程と、n-ブロック層20上に活性層22を形成する工程と、活性層22上にp-ブロック層24を形成する工程と、p-ブロック層24上にp-クラッド層26を形成する工程と、p-クラッド層26上にp-コンタクト層26を形成する工程とを有し、n-コンタクト層16を形成する工程は、Si層とu-AlxInyGa1-x-yN層を交互に積層する工程からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を形成する工程と、 前記バッファ層上にn型コンタクト層を形成する工程と、 前記n型コンタクト層上にn型クラッド層を形成する工程と、 前記n型クラッド層上にn型ブロック層を形成する工程と、 前記n型ブロック層上に活性層を形成する工程と、 前記活性層上にp型ブロック層を形成する工程と、 前記p型ブロック層上にp型クラッド層を形成する工程と、 前記p型クラッド層上にp型コンタクト層を形成する工程と、 を有し、 前記n型コンタクト層を形成する工程は、Si層とアンドープAlxInyGa1-x-yN層(但し、0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y<1)を交互に積層する工程からなることを特徴とする窒化ガリウム系発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CA99
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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