特許
J-GLOBAL ID：201003083885987523
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
小林 良平
, 谷口 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-057327
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212104
出願日： 2009年03月11日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成し、且つ、プラズマの密度分布をより均一にすることができると共に、パーティクルの発生や高周波アンテナの導体のスパッタリングによる基体の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置10は、高周波放電による誘導結合方式のプラズマ処理装置において、真空容器11と、前記真空容器11の壁の内面111Bと外面111Aの間に設けられたアンテナ配置部12と、前記アンテナ配置部12に配置された周回しないで終端する1個の高周波アンテナと、前記アンテナ配置部12と前記真空容器の内部112を仕切る誘電体製の仕切材15とを備え、前記高周波アンテナ13の長さが、当該高周波の1/4波長の長さよりも短いことを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高周波放電による誘導結合方式のプラズマ装置において、
a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁の内面と外面の間に設けられたアンテナ配置部と、
c) 前記アンテナ配置部に配置された周回しないで終端する1個の高周波アンテナと、
d) 前記アンテナ配置部と前記真空容器の内部を仕切る誘電体製の仕切材と、
を備え、前記高周波アンテナの長さが、当該高周波の1/4波長の長さよりも短いことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4K030FA04
, 4K030JA01
, 4K030KA12
, 4K030KA30
, 4K030KA46
