特許

J-GLOBAL ID：201103021736508657

半導体装置

発明者： 中村 弘幸 ,  藤城 敦 ,  関 達弘 ,  小池 信也 ,  佐藤 幸弘 ,  芦田 喜章
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-050806
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187650
出願日： 2010年03月08日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】半導体装置の性能と信頼性を向上させる。【解決手段】半導体チップCP1には、スイッチ用のパワーMOSFETQ1,Q2と、パワーMOSFETQ1の発熱を検知するためのダイオードDD1と、パワーMOSFETQ2の発熱を検知するためのダイオードDD2と、複数のパッド電極PDとが形成されている。パワーMOSFETQ1およびダイオードDD1は、辺SD1側の第1MOSFET領域RG1に配置され、パワーMOSFETQ2およびダイオードDD2は、辺SD2側の第2MOSFET領域RG2に配置されている。ダイオードDD1は辺SD1に沿って配置され、ダイオードDD2は辺SD2に沿って配置され、ダイオードDD1,DD2間にソース用のパッド電極PDS1,PDS2以外の全てのパッド電極PDを辺SD3に沿って配置している。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

第1辺と前記第1辺に対向する第2辺とを有する第1半導体チップを備えた半導体装置であって、 前記第1半導体チップには、第1回路と、第2回路と、前記第1回路の発熱を検知するための第1ダイオードと、前記第2回路の発熱を検知するための第2ダイオードと、複数の第1パッド電極とが形成されており、 前記第1回路は、前記第1半導体チップの主面において前記第2辺よりも前記第1辺に近くなるように配置され、 前記第2回路は、前記第1半導体チップの主面において前記第1回路と前記第2辺との間に配置され、 前記第1ダイオードは、前記第1半導体チップの主面において前記第2回路よりも前記第1辺に近くなるように配置され、 前記第2ダイオードは、前記第1半導体チップの主面において前記第1回路よりも前記第2辺に近くなるように配置されており、 前記複数の第1パッド電極は、前記第1回路に電気的に接続された第1ソース用パッド電極と、前記第2回路に電気的に接続された第2ソース用パッド電極とを含み、 前記第1半導体チップの主面において、前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとの間に、前記第1および第2ソース用パッド電極を除く前記複数の第1パッド電極のうちの少なくとも1つが配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/822 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (12件)：

H01L29/78 657A ,  H01L21/88 T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 657F ,  H01L29/78 652P ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 311B ,  H01L27/04 H ,  H01L25/04 C

Fターム (42件)：

5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033RR22 ,  5F033UU01 ,  5F033VV07 ,  5F038AZ08 ,  5F038BE07 ,  5F038BH04 ,  5F038BH09 ,  5F038BH16 ,  5F038CA02 ,  5F038CA08 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA02 ,  5F048BB19 ,  5F048BC12 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BH05 ,  5F048CB07 ,  5F048CC06

引用特許：

審査官引用 (12件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160834   出願人：株式会社日立製作所
• 電力用半導体素子、その製造方法及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-142184   出願人：株式会社東芝, 東芝ディスクリートテクノロジー株式会社
• 半導体素子及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-340968   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-308687   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119248   出願人：三菱電機株式会社
• MOSFETおよびそれを用いた保護回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-308618   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-292820   出願人：日本電気株式会社
• 熱感知システム及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-178261   出願人：株式会社東芝, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション, 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント
• 特開昭62-179140
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-001259   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-191597   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-225798   出願人：株式会社デンソー