特許
J-GLOBAL ID:201103032473319074
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
鹿嶋 英實
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-281393
公開番号(公開出願番号):特開2002-093945
特許番号:特許第4394266号
出願日: 2000年09月18日
公開日(公表日): 2002年03月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 複数の接続パッドを備えるシリコンからなる半導体基板と、前記複数の接続パッドを除く、前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、それぞれ、前記絶縁膜上に設けられ前記各接続パッドに接続された複数の再配線と、前記各再配線上に設けられた複数のポストと、該複数のポストを除く前記半導体基板上面ほぼ全体に設けられた封止膜と、前記各ポスト上に形成されたハンダボールとを備えた半導体装置において、
前記封止膜を、弾性率が20から200Kg/mm2のマレイン酸骨格を有するビスマレイミド樹脂もしくは該ビスマレイミド樹脂にフィラーが含有された樹脂にて形成すると共に前記絶縁膜を前記封止膜と同一の材料または前記封止膜より大きい弾性率の材料で形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 23/29 ( 200 6.01)
, H01L 23/31 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 23/12 501 P
, H01L 23/12 501 C
, H01L 23/30 R
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (13件)
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特開平1-209746
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-364238
出願人:三洋電機株式会社
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特開平1-209746
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