バンプ転写基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：開口宗昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163967
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353714
特許番号：特許第3303849号
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基材上にバンプ形成材埋込部パターンを有するホトレジスト層を形成し、前記バンプ形成材埋込部及びホトレジスト層上にバンプ形成材を積層し、続いて前記バンプ形成材表面にフラックスを塗布した後所定の温度にて熱処理を行い、しかる後にフラックスを除去することにより先端部に曲率を有する半田バンプを基材上に形成することを特徴とするバンプ転写基板の製造方法。

IPC (1件)：