特許
J-GLOBAL ID：201103055676188870

再生フォトマスク用基板の製造方法、再生フォトマスク用ブランクの製造方法、再生フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法

発明者：
土屋 雅誉

土屋 雅誉 について

, 
藤本 照彦

藤本 照彦 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (5件)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩 ,  奥山 知洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-096322
公開番号（公開出願番号）：特開2011-227260
出願日： 2010年04月19日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】 使用済みフォトマスクを用いて再生フォトマスク用基板を製造する場合において、フォトマスク用基板としての品質基準を担保しつつ、その製造コストを低減させる。【解決手段】透明基板の第1主表面上に膜パターンが形成された使用済みフォトマスクを用いる再生フォトマスク用基板の製造方法であって、第1主表面上から膜パターンを除去する工程と、第1主表面及び第2主表面をそれぞれ研磨する研磨工程と、を有し、研磨工程において、第1主表面及び第2主表面における転写領域外に、300μm以上の大きさの傷欠陥が残留せず、かつ2μm以上300μm未満の大きさの傷欠陥が残留する研磨量であって、かつ、第2主表面における転写領域内に、100μm以上の大きさの傷欠陥が残留しない研磨量の研磨を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板の第1主表面上に転写用パターンを含む膜パターンが形成された使用済みフォトマスクを用いる再生フォトマスク用基板の製造方法であって、 前記膜パターンを除去する工程と、 前記第1主表面及び前記透明基板の第2主表面をそれぞれ研磨する研磨工程と、を有し、 前記研磨工程において、 前記再生フォトマスクの転写領域外において、前記第1主表面及び前記第2主表面に、300μm以上の大きさの傷欠陥が残留せず、かつ2μm以上300μm未満の大きさの傷欠陥が残留する研磨量であって、かつ、 前記再生フォトマスクの転写領域内において、前記第2主表面に、100μm以上の大きさの傷欠陥が残留しない研磨量の研磨を行う ことを特徴とする再生フォトマスク用基板の製造方法。
IPC (2件)：
G03F 1/14 ,  C03C 19/00
FI (2件)：
G03F1/14 A ,  C03C19/00 Z
Fターム (6件)：
2H095BB27 ,  2H095BB31 ,  2H095BC26 ,  4G059AA11 ,  4G059AB03 ,  4G059AC30
引用特許：
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM