光起電力装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036711
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339080
特許番号：特許第4219096号
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】非晶質シリコンを主材料としたpin接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、p型非晶質シリコンカーバイド層を形成後にこのp型非晶質シリコンカーバイド層に水素プラズマ処理を施し、その後p型非晶質シリコンカーバイド層の表面に酸素を含むプラズマ処理を、酸素の導入量が10at%以上60at.%以下の量となるように、行うことによってp型非晶質シリコンカーバイド層表面を酸化させ、p型非晶質シリコンカーバイド層とi型層との間の界面層を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。

IPC (1件)：