特許
J-GLOBAL ID：201103089953476376

半導体レーザ素子

発明者：
大矢 昌輝

大矢 昌輝 について

, 
遠藤 健司

遠藤 健司 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246845
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077478
特許番号：特許第3467435号
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型半導体基板上に、少なくとも第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層を含んでなるダブルヘテロ構造を備え、このダブルヘテロ構造上に少なくとも第2導電型中間層と第2導電型コンタクト層とを含む半導体レーザ素子であって、歪を持ちかつ結晶成長工程で形成される結晶中の水素の拡散を抑制する歪層を前記第2導電型コンタクト層中に有し、前記歪層を素子の全面に形成したことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/042 614
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/042 614
引用特許：
審査官引用 (11件)
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