特許
J-GLOBAL ID：201103096335604270
薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385584
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188171
特許番号：特許第3941099号
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 オゾンを含有する酸化性ガスによって基体を酸化する第1工程と、
前記基体の酸化表面に第1反応物を吸着させる第2工程と、
第2反応物を導入し、前記酸化表面上の前記第1反応物の残基と反応させる第3工程 と
を含み、前記第2工程と前記第3工程とを含むサイクルを繰り返すことによって形成する薄膜の厚さを10〜30Åとする薄膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, C23C 16/40 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 21/316 X
, C23C 16/40
, H01L 29/78 301 G
, H01L 27/04 C
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (17件)
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