半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：堀城之 , 前島幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-153961
公開番号（公開出願番号）：特開2012-018972
出願日： 2010年07月06日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

【課題】2DEGをチャンネルとして用いる半導体装置において、不純物イオンの侵入による悪影響を排除する。【解決手段】第1の半導体層である電子走行層11上に、第2の半導体層である電子供給層12が形成されている。これらの界面(ヘテロ接合界面)における電子走行層11側に、2次元電子ガス(2DEG)層13が形成される。ソース電極14からドレイン電極15の間の2DEG層13が形成された領域がこの半導体装置10におけるチャンネル領域となる。このチャンネル領域上の絶縁層17上において、第1のフィールドプレート18が形成されている。すなわち、第1のフィールドプレート18は、2つの主電極のうちの一方から他方に達するチャンネル領域上を覆うように形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体層上に形成された第2の半導体層と前記第1の半導体層とのヘテロ接合界面の2次元電子ガスが前記第2の半導体層上に形成された2つの主電極間のチャンネルとして機能し、電流が前記2次元電子ガスを介して前記2つの主電極間で流れるチャンネル領域上において、前記第2の半導体層の表面及び前記2つの主電極上に形成された絶縁層を介して、前記2つの主電極の一方と接続された第1のフィールドプレートが形成された構成を具備する半導体装置であって、前記第1のフィールドプレートが、前記2つの主電極のうちの一方から、前記2つの主電極のうちの他方に達する前記チャンネル領域上を覆うように形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/06 , H01L 21/28

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/06 301F , H01L21/28 301S , H01L21/28 301R

Fターム (36件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104EE16 , 4M104FF10 , 4M104FF21 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 5F102FA01 , 5F102GA14 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR06 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GS03 , 5F102GS07 , 5F102GT03 , 5F102GT07 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (15件)

GaN系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-297732 出願人：古河電気工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-311450 出願人：株式会社東芝
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-327654 出願人：株式会社東芝

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