特許
J-GLOBAL ID:201303009878597732
基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-219342
公開番号(公開出願番号):特開2013-032278
出願日: 2012年10月01日
公開日(公表日): 2013年02月14日
要約:
【課題】低コストで板形状を制御した基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム(GaN)からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程(S110)と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程(S120)とを備える。スライス工程(S120)では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さRaが10mm線上で0.05μm以上1μm以下となっている。スライス工程(S120)では、主表面における算術平均粗さRa、最大高さRz、十点平均粗さRzjisのうちの少なくとも1つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときのワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値よりワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
窒化ガリウムからなるインゴットを準備する工程と、
前記インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程とを備え、
前記基板を得る工程では、前記スライス後の基板の主表面の算術平均粗さRaが10mm線上で0.05μm以上1μm以下となっており、
前記基板を得る工程では、前記主表面における算術平均粗さRa、最大高さRz、十点平均粗さRzjisのうちの少なくとも1つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときの前記ワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値より前記ワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする、基板の製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/38
, B24B 27/06
, H01L 21/304
FI (5件):
C30B29/38 D
, B24B27/06 D
, H01L21/304 611B
, H01L21/304 622W
, H01L21/304 622R
Fターム (29件):
3C058AA05
, 3C058AC02
, 3C058BA01
, 3C058BA09
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058CB05
, 3C058DA03
, 3C069AA01
, 3C069BA06
, 3C069CA04
, 3C069EA01
, 4G077AA02
, 4G077AB10
, 4G077BE15
, 4G077FG13
, 4G077FG16
, 4G077FG20
, 4G077HA12
, 5F057AA02
, 5F057AA03
, 5F057BA01
, 5F057BA16
, 5F057BB06
, 5F057CA02
, 5F057CA05
, 5F057DA15
, 5F057GA15
, 5F057GB16
引用特許:
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