溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-057237
公開番号（公開出願番号）：特開2013-190637
出願日： 2012年03月14日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】パターン部の膜減り及びディフェクト発生を低減できる溶剤現像ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、3〜7員環のエーテル含有環式基を含む構成単位(a0-1)と、-SO2-含有環式基を含む構成単位(a0-2)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)とを有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とする溶剤現像ネガ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、3〜7員環のエーテル含有環式基を含む構成単位(a0-1)と、-SO2-含有環式基を含む構成単位(a0-2)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)と、を有する樹脂成分(A1)を含有することを特徴とする溶剤現像ネガ型レジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/038 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/038 601 , H01L21/30 502R , H01L21/30 569E

Fターム (22件)：

2H125AE13P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF38P , 2H125AF41P , 2H125AF45P , 2H125AH05 , 2H125AH13 , 2H125AH17 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ69X , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC15 , 2H125FA03 , 5F146LA12

引用特許：

審査官引用 (11件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-116495 出願人：信越化学工業株式会社
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-145544 出願人：信越化学工業株式会社
レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-100681 出願人：住友化学株式会社

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