不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (19件)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 赤穂隆雄 , 井上正 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-022111
公開番号（公開出願番号）：特開2013-161920
出願日： 2012年02月03日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：

【課題】3次元不揮発性半導体記憶装置のメモリセルの特性又は信頼性を向上させる。【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第1の方向に、第1の酸化層2、半導体層3及び第2の酸化層4の順序で積み重ねられる構造を含み、第2の方向に延びるフィン構造と、半導体層3の第3の方向にある表面上において、第3の方向に、ゲート酸化層5、電荷蓄積層6、ブロック絶縁層7及びコントロールゲート電極8の順序で積み重ねられるゲート構造とを備える。半導体層3の第3の方向にある表面は、凹曲面を有し、かつ、第1及び第2の酸化層2,4の第3の方向にある表面よりも内側に配置される。電荷蓄積層6のゲート酸化層5側の表面は、凸曲面を有する。半導体層3の凹曲面の曲率は、電荷蓄積層6の凸曲面の曲率よりも小さい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、半導体基板の表面に対して垂直な第1の方向に、第1の酸化層、半導体層及び第2の酸化層の順序で積み重ねられる構造を含み、前記半導体基板の表面に対して平行な第2の方向に延びるフィン構造と、前記半導体層の前記第1及び第2の方向に垂直な第3の方向にある表面上において、前記第3の方向に、ゲート酸化層、電荷蓄積層、ブロック絶縁層及びコントロールゲート電極の順序で積み重ねられるゲート構造とを具備し、前記半導体層の前記第3の方向にある表面は、凹曲面を有し、かつ、前記第1及び第2の酸化層の前記第3の方向にある表面よりも内側に配置され、前記電荷蓄積層の前記ゲート酸化層側の表面は、凸曲面を有し、前記凹曲面の曲率は、前記凸曲面の曲率よりも小さいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/824 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (43件)：

5F083EP02 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP44 , 5F083EP55 , 5F083ER21 , 5F083GA10 , 5F083GA11 , 5F083GA22 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR12 , 5F083PR40 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BA44 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BD16 , 5F101BD30 , 5F101BE07 , 5F101BH03 , 5F101BH14 , 5F101BH15

引用特許：

審査官引用 (10件)

シリコン酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-255144 出願人：東京エレクトロン株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-195786 出願人：株式会社東芝
電荷蓄積場所を有するメモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-532423 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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