電子デバイス材料の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 吉井一男 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-239558
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027777
出願日： 2006年09月04日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】電気的特性の優れた絶縁層や半導体層を備えた高品質のMOS型半導体等の電子デバイス材料の製造方法。【解決手段】単結晶シリコンを主成分とする被処理基体上にCVD処理を施して絶縁膜を形成する工程と、前記被処理基体を、複数のスロットを有する平面アンテナ部材(SPA)を介して処理ガスにマイクロ波を照射することにより生成したプラズマに晒し、このプラズマを用いて前記絶縁膜を改質する工程と、を含む。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する工程と、該基板上に形成された絶縁膜を、アンテナ部材を介して生成した処理ガスからのプラズマに晒し、前記絶縁膜を改質する工程とを含むプラズマ処理方法であって、該処理ガスが、希ガスと、酸素、窒素および水素の少なくとも1つを含み、前記プラズマが、1×1010〜5×1012/cm3の密度を有するプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L21/316 P , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/78 301G

Fターム (53件)：

5F058BA04 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF52 , 5F058BF73 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR05 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BH02 , 5F101BH16 , 5F140AA28 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF33 , 5F140BF34 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BJ05 , 5F140BK26 , 5F140CB01 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (13件)

特許第4334225号
高K誘電体を有するゲート積層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-200830 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
薄膜窒化珪素または酸化窒化珪素ゲート誘電体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335805 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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