特許
J-GLOBAL ID：201403021876453510

半導体ダイ組立体、半導体ダイ組立体を含む半導体デバイス、半導体ダイ組立体の製作方法

発明者：
イングランド,ルーク ジー.

イングランド,ルーク ジー. について

, 
シルヴェストリ,ポール エー.

シルヴェストリ,ポール エー. について

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クープマンス,ミシェル

クープマンス,ミシェル について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-522925
公開番号（公開出願番号）：特表2014-522115
出願日： 2012年07月23日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：
マルチダイ組立体の製作方法が提供される。なお、このマルチダイ組立体は、集積回路を有さないウェーハ断片を有し、伝導性貫通ビアにより電気的に相互接続された複数の垂直にスタックされたダイをウェーハ断片上に有する。このようにマルチダイ組立体が形成される。半導体デバイスは係るマルチダイ組立体を備える。ウェーハ断片はヒートシンクとして機能し、それにより、結果的に生成されるマルチダイ組立体内でスタックされたダイからの熱伝達が高められる。ダイスタックはベースウェーハ上にウェーハレベルで製作され、少なくとも部分的に周縁部が封止された後、ウェーハ断片およびダイスタックがダイシングされる。【選択図】図2N
請求項（抜粋）：
半導体ダイ組立体を形成する方法であって、 複数の横方向に離間する半導体ダイをベースウェーハに固定することと、 少なくとも2つの半導体ダイを前記複数のうちの各半導体ダイの上方に配置してスタックを形成し、スタック内の前記半導体ダイの伝導性貫通ビアを、前記半導体ダイ同士の間で延長する伝導性要素に接続することと、 誘電物質をスタック内で前記半導体ダイ同士の間に提供することと、 少なくとも前記ベースウェーハ上の前記スタックの半導体ダイのそれぞれの周縁部を、封止物質を用いて、前記スタックの半導体ダイ同士の間および前記スタックの半導体ダイの周囲で、実質的に同時に封止することと、 前記スタックの半導体ダイ同士の間の前記封止物質を通して、前記スタックの半導体ダイと前記ベースウェーハとをダイシングすることと、 を含む方法。
IPC (9件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/34 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/56
FI (7件)：
H01L25/08 C ,  H01L23/34 A ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/607 A ,  H01L23/28 A ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/56 R
Fターム (23件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109DA10 ,  4M109DB17 ,  5F044KK05 ,  5F044KK17 ,  5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044LL01 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F136BB11 ,  5F136BC02 ,  5F136BC06 ,  5F136DA41 ,  5F136EA12 ,  5F136EA13 ,  5F136FA03 ,  5F136FA75
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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