特許
J-GLOBAL ID：201403025233013925
薄膜トランジスタデバイスを作成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
▲吉▼川 俊雄
, 市川 寛奈
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-190450
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060399
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
【課題】フォトグラフィステップ、エッチングステップを簡略化して薄膜トランジスタデバイスを作成する方法を提供する。【解決手段】デバイスを作成する方法が:半導体層51、誘電体層52、および誘電体層52の上のゲート形成層53を形成し、層構造50を画定するステップ、グレー・スケール・フォトレジスト・パターンをゲート形成層53の上に形成するステップ、グレー・スケール・フォトレジスト・パターンを等方的にストリッピングし、ソース画定領域とドレイン画定領域を取り除くステップ、ソース被覆領域532とドレイン被覆領域533を取り除くように、ゲート形成層53を非等方的にエッチングするステップ、第1のタイプのドーパントをソース領域511とドレイン領域512の中にドープするステップ、およびゲート画定領域をゲート形成層53から取り除くステップを含む。【選択図】図2D
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタデバイスを作成する方法であって:
(a)基板(11)の上に半導体層(51)を形成するステップ;
(b)前記半導体層(51)の上に誘電体層(52)を形成するステップ;
(c)ゲート形成層(53)が前記誘電体層(52)および前記半導体層(51)と協力して、層構造(50)を画定するように、前記誘電体層(52)の上に前記ゲート形成層(53)を形成するステップ;
(d)第1のグレー・スケール・フォトレジスト・パターン(54)が前記層構造(50)の第1のトランジスタ形成領域(501)に重なるように、前記第1のグレー・スケール・フォトレジスト・パターン(54)を前記ゲート形成層(53)の上に形成するステップであって、前記第1のグレー・スケール・フォトレジスト・パターン(54)は、第1のソース画定領域(542)、第1のドレイン画定領域(543)、ならびに前記ゲート形成層(53)に対して前記第1のソース画定領域(542)および前記第1のドレイン画定領域(543)の高さより大きい高さを有する第1のゲート画定領域(541)を含むステップ;
(e)前記ゲート形成層(53)の第1のソース被覆領域(532)および第1のドレイン被覆領域(533)を露出するように、前記第1のグレー・スケール・フォトレジスト・パターン(54)を等方的にストリッピングして、前記第1のグレー・スケール・フォトレジスト・パターン(54)の前記第1のゲート画定領域(541)を薄層化し、かつ前記第1のグレー・スケール・フォトレジスト・パターン(54)の前記第1のソース画定領域(542)および前記第1のドレイン画定領域(543)を層構造(50)の前記第1のトランジスタ形成領域(501)から取り除くステップ;
(f)前記ステップ(e)の後に、前記ゲート形成層(53)の前記第1のソース被覆領域(532)および前記第1のドレイン被覆領域(533)を前記誘電体層(52)から取り除いて、前記ゲート形成層(53)の第1のゲート電極(531)を形成するように、および前記半導体層(51)の第1のソース領域(511)および第1のドレイン領域(512)にそれぞれ対応する、前記誘電体層(52)の2つの第1の被覆領域(521)を露出するように、前記ゲート形成層(53)を非等方的にエッチングするステップ;
(g)前記ステップ(f)の後に、第1のタイプのドーパントを前記半導体層(51)の前記第1のソース領域(511)および前記第1のドレイン領域(512)の中にドープするステップ;および
(h)前記ステップ(g)の後に、前記第1のグレー・スケール・フォトレジスト・パターン(54)の前記第1のゲート画定領域(541)を前記ゲート形成層(53)から取り除くステップ
により特徴づけられる方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 27/092
H01L29/78 627C
, H01L29/78 627G
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 617M
, H01L29/78 616L
, H01L27/08 102B
, H01L27/08 321E
5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048AC04
, 5F048BA16
, 5F048BB05
, 5F048BB11
, 5F048BC06
, 5F048BF07
, 5F048BF16
, 5F048BG07
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE09
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ15
, 5F110HM15
, 5F110NN78
, 5F110QQ02
, 5F110QQ11
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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