特許
J-GLOBAL ID：201403070070291499

導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法

発明者：
津山 博昭

津山 博昭 について

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加納 丈嘉

加納 丈嘉 について

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早田 佑一

早田 佑一 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-071935
公開番号（公開出願番号）：特開2014-196384
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：
【課題】本発明は、導電性に優れ、かつ、ボイドの少ない導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供することを目的とする。【解決手段】酸化銅粒子(A)と、銅前駆体である銅錯体(B)と、熱可塑性ポリマー(C)と、溶媒(D)とを含有し、銅錯体(B)に含まれる配位子が一般式(1)で表される化合物を含む導電膜形成用組成物。[式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、アミノ基、アルキルアミノ基、ヒドロキシ基およびヒドロキシアルキル基からなる群から選択される置換基であり、R1、R2、R3、R4、R5およびR6から選択される2以上の置換基は互いに結合して環構造を形成してもよい。]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸化銅粒子(A)と、銅前駆体である銅錯体(B)と、熱可塑性ポリマー(C)と、溶媒(D)とを含有し、 前記銅錯体(B)に含まれる配位子が一般式(1)で表される化合物を含む導電膜形成用組成物。
IPC (16件)：
C08L 101/00 ,  H01B 1/20 ,  H01B 13/00 ,  C08K 3/22 ,  C08L 39/06 ,  C08L 29/04 ,  C08L 71/02 ,  C08K 5/17 ,  C09D 5/24 ,  C09D 7/12 ,  C09D 201/00 ,  C09D 139/06 ,  C09D 171/02 ,  C09D 129/04 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/12
FI (17件)：
C08L101/00 ,  H01B1/20 Z ,  H01B13/00 503C ,  H01B13/00 503D ,  C08K3/22 ,  C08L39/06 ,  C08L29/04 A ,  C08L71/02 ,  C08K5/17 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  C09D201/00 ,  C09D139/06 ,  C09D171/02 ,  C09D129/04 ,  H05K1/09 A ,  H05K3/12 610D
Fターム (43件)：
4E351AA01 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351DD33 ,  4E351DD52 ,  4E351EE02 ,  4E351GG16 ,  4J002BE021 ,  4J002BJ001 ,  4J002CH021 ,  4J002DE096 ,  4J002EN107 ,  4J002FD116 ,  4J002FD117 ,  4J002GQ02 ,  4J002HA06 ,  4J038CE021 ,  4J038CK031 ,  4J038DF011 ,  4J038HA066 ,  4J038JB09 ,  4J038JB28 ,  4J038JC38 ,  4J038KA12 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038NA20 ,  4J038PB09 ,  5E343AA12 ,  5E343BB24 ,  5E343BB72 ,  5E343DD01 ,  5E343ER35 ,  5E343ER43 ,  5E343ER45 ,  5E343GG13 ,  5G301DA22 ,  5G301DA23 ,  5G301DA42 ,  5G301DD02 ,  5G301DE01 ,  5G323CA01 ,  5G323CA04
引用特許：
審査官引用 (12件)
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