特許
J-GLOBAL ID：201503004654019648
光増感化学増幅型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法、半導体デバイス、リソグラフィ用マスク、並びにナノインプリント用テンプレート
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柏岡 潤二
, 鈴木 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-028423
公開番号（公開出願番号）：特開2015-172741
出願日： 2015年02月17日
公開日（公表日）： 2015年10月01日
要約：
【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用な光増感化学増幅型レジスト材料を提供する。【解決手段】本発明に係る光増感化学増幅型レジスト材料は、二段露光リソグラフィプロセスに使用され、(1)現像可能なベース成分と、(2)露光により光増感剤と酸とを発生する成分とを含む。上記成分は、(a)酸-光増感剤発生剤、(b)光増感剤前駆体、及び、(c)光酸発生剤の3つの成分のうち、(a)成分のみを含有する、任意の2つの成分を含有する、又は、(a)〜(c)成分のすべてを含有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
感光性樹脂組成物を使用して形成されたレジスト材料膜の所定の箇所に、電離放射線又は400nm以下の波長を有する非電離放射線を照射するパターン露光工程と、
前記パターン露光工程後の前記レジスト材料膜に、前記パターン露光における非電離放射線より長く、200nmを超える波長を有する非電離放射線を照射する一括露光工程と、
前記一括露光工程後の前記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、
前記ベーク工程後の前記レジスト材料膜を現像液に接触させてレジストパターンを形成する現像工程と、
を備えるリソグラフィプロセスにおいて、前記感光性樹脂組成物として使用される光増感化学増幅型レジスト材料であって、
(1)前記ベーク工程後、前記パターン露光された部分が前記現像液に可溶又は不溶となるベース成分と、
(2)露光により光増感剤及び酸を発生する成分と、
を含み、
前記(2)成分は、下記(a)成分である、下記(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分を含有する、又は、下記(a)〜(c)成分のすべてを含有する、光増感化学増幅型レジスト材料。
(a)電離放射線又は400nm以下の波長を有する非電離放射線の照射によって、酸と、200nmを超える波長を有する非電離放射線を吸収する光増感剤とを発生する酸-光増感剤発生剤
(b)電離放射線又は400nm以下の波長を有する非電離放射線の照射によって、200nmを超える波長を有する非電離放射線を吸収する光増感剤となる光増感剤前駆体
(c)電離放射線又は400nm以下の波長を有する非電離放射線の照射によって、酸を発生する光酸発生剤
IPC (6件)：
G03F 7/38
, G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C09K 3/00
, C08F 220/10
G03F7/38 511
, G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, G03F7/004 503Z
, H01L21/30 502R
, C09K3/00 K
, C08F220/10
2H125AF13P
, 2H125AF18P
, 2H125AF26P
, 2H125AF34P
, 2H125AF46P
, 2H125AF69P
, 2H125AH18
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ69X
, 2H125AJ70X
, 2H125AL02
, 2H125AL11
, 2H125AN42P
, 2H125AN63P
, 2H125BA11P
, 2H125BA26P
, 2H125CA12
, 2H125CB16
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA02
, 2H196AA25
, 2H196BA11
, 2H196CA06
, 2H196DA01
, 2H196EA06
, 2H196EA13
, 2H196FA01
, 2H196FA02
, 2H196GA08
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100BA03R
, 4J100BA11P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC53P
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100JA38
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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