特許
J-GLOBAL ID：201503005252551242
窒化ガリウムベースフィルムチップの生産方法および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
馬場 資博
, SK特許業務法人
, 奥野 彰彦
, 伊藤 寛之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-510643
特許番号：特許第5792375号
出願日： 2012年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 a.サファイア基板上にn型GaN層、活性層、P型GaN層を順番に成長して半導体多層構造を形成するステップと、
b.前記サファイア基板に対して肉薄化及び研磨処理を行うステップと、
c.前記半導体多層構造の上に第一接着剤を塗布して、第一臨時基板と固化するステップと、
d.前記サファイア基板に対してレーザー剥離を行い、剥離した後の面に第二接着剤を塗布して、第二臨時基板と固化するステップと、
e.前記第一臨時基板及び前記第一接着剤を除去するステップと、
f.共晶接合方式を採用して半導体多層構造と永久支持基板を結合するステップと、
g.前記第二臨時基板及び前記第二接着剤を除去するステップと、
を備え、
前記第一接着剤は高温エポキシ樹脂接着剤であり、その固化した後のショア硬度は80〜100Dであり、耐温度範囲は-25〜300°Cであり、曲げ強度は80〜120MPaであり、圧縮強度は200〜300MPaであり、
前記第二接着剤は複素環樹脂であり、その耐温度範囲は-55〜+420°Cであり、引張り強度は60〜100MPaであり、曲げ強度は105〜200MPaであり、
前記共晶接合方式はAu-Sn接合であり、温度は200〜400°Cである、
ことを特徴とするGaNベースフィルムチップの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01L 33/00
, H01L 33/00 186
, H01L 21/205
出願人引用 (17件)
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審査官引用 (17件)
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