特許
J-GLOBAL ID：201503008297483085

発光素子

発明者：
ムン・ジヒョン

ムン・ジヒョン について

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イ・サンヨル

イ・サンヨル について

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パク・バンドゥー

パク・バンドゥー について

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キム・チョンソン

キム・チョンソン について

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パク・サンロク

パク・サンロク について

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チョン・ビョンハク

チョン・ビョンハク について

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イ・テヨン

イ・テヨン について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (8件)： 小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  市川 英彦 ,  青木 孝博 ,  川嵜 洋祐 ,  今藤 敏和 ,  岩瀬 吉和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-103630
公開番号（公開出願番号）：特開2015-228497
出願日： 2015年05月21日
公開日（公表日）： 2015年12月17日
要約：
【課題】電気的特性と光抽出効率が改善された発光素子を提供する。【解決手段】第1導電型半導体層11、活性層12、第2導電型半導体層13を含む発光構造物10、発光構造物の下に配置されたミラー層21、ミラー層と発光構造物との間に配置されたウィンドウ半導体層15、ミラー層の下に配置された反射層30、反射層とウィンドウ半導体層との間に配置され、第2導電型半導体層に接触した伝導性接触層23、及び反射層の下に配置された伝導性の支持基板50を含み、ウィンドウ半導体層はカーボンがドーピングされたリン(P)系半導体を含み、ウィンドウ半導体層は第2導電型半導体層のドーパント濃度より高いドーパント濃度を有し、伝導性接触層はミラー層の材質と異なる材質を含み、ウィンドウ半導体層の厚さより薄い厚さを含む発光素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層の下に配置された活性層、前記活性層の下に配置された第2導電型半導体層を含む発光構造物と、 前記第1導電型半導体層に電気的に連結された第1電極と、 前記発光構造物の下に配置されたミラー層と、 前記ミラー層と前記発光構造物との間に配置されたウィンドウ半導体層と、 前記ミラー層の下に配置された反射層と、 前記反射層と前記ウィンドウ半導体層との間に配置され、前記第2導電型半導体層に接触した伝導性接触層と、 前記反射層の下に配置された伝導性の支持基板とを含み、 前記ウィンドウ半導体層はカーボンがドーピングされたリン(P)系半導体を含み、 前記ウィンドウ半導体層は前記第2導電型半導体層のドーパント濃度より高いドーパント濃度を有し、 前記伝導性接触層は前記ミラー層の材質と異なる材質を含み、前記ウィンドウ半導体層の厚さより薄い厚さを含むことを特徴とする、発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/14 ,  H01L 33/30
FI (2件)：
H01L33/00 150 ,  H01L33/00 184
Fターム (10件)：
5F241AA03 ,  5F241CA05 ,  5F241CA37 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CA88 ,  5F241CB11 ,  5F241CB15 ,  5F241CB36 ,  5F241FF11
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (13件)
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